基于间接跃迁模型的p+-GaAsSb费米能级研究

• 作者: 尹志军 李忠辉 王元 程伟 许晓军 高汉超
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAsSb HBT 费米能级
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1057-1060
• 页数: 4页
• 分类号: O782+.8
• 字数: 1870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1057

摘要

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用.本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系.由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹志军	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	11	40	4.0	6.0
2	许晓军	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	13	2.0	3.0
3	程伟	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	高汉超	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	王元	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	1	2	1.0	1.0