一种850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计

• 作者: 丁锋 张靖 王品红 田坤 赵开梅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 量子阱 氧化孔径 阈值电流 斜率效率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 56-58
• 分类号: TN242
• 语种: 中文

摘要

采用PICS3D软件建立了850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850 nm氧化限制型VCSEL.在10μm氧化孔径下,与商用的850 nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3 W/A提升到0.65 W/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁锋	重庆邮电大学光电工程学院	6	37	4.0	6.0
3	王品红		12	49	5.0	6.0
4	张靖		12	84	5.0	8.0
5	田坤		14	68	3.0	7.0
8	赵开梅		1	7	1.0	1.0