电流拥挤效应与LED器件可靠性分析

• 作者: 乔彦斌 冯士维 吴艳艳 张建伟 魏光华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学器件 电流拥挤 发光二极管 EMMI 可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1051-1056
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1051

摘要

对小功率GaN基白光LED的电流拥挤效应进行了研究,发现串联灯组(8只为一组)在经过22 V电压冲击后出现漏电失效现象.通过Pspice软件对串联LED灯组进行模拟,发现与其他样品相比,受损样品承受了更大的电压和功率;对器件加-2V偏压,利用光发射(EMMI)显微镜对芯片表面不同量级漏电流进行定位分析比较,结果表明漏电流集中在p型扩展电极端点附近.分析认为,电压冲击的破坏路径穿过了LED的量子阱结构,而电流的不均匀分布造成了p型扩展电极附近的电流拥挤,加剧了pn结的损伤程度,提高电流扩展的均匀性可以有效提高LED的可靠性.最后还对在正向电流-电压区域出现微分负阻特性的器件进行了失效分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建伟	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室	183	3128	34.0	47.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室	59	438	12.0	18.0
3	乔彦斌	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室	2	12	2.0	2.0
4	吴艳艳	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室	3	18	2.0	3.0
5	魏光华	北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性实验室	3	14	2.0	3.0