0.18μm 窄沟 NMOS 晶体管总剂量效应研究*

• 作者: 吴雪 席善斌 李豫东 王信 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 0.18μm 窄沟 NMOS 晶体管 60Coγ 辐照 辐射感生窄沟道效应
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 页码范围: 136101-1-136101-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.136101

摘要

为明确深亚微米 NMOS 器件抗辐照能力以及研究其加固措施，本文对0.18μm 窄沟 NMOS 晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明：和宽沟器件不同，阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感，此现象被称之为辐射感生窄沟道效应；相比较栅氧化层，器件隔离氧化层对总剂量辐照更敏感；窄沟道 NMOS 器件阈值电压不仅和沟道耗尽区电荷有关，寄生晶体管耗尽区电荷对其影响也不可忽略，而辐照引起源漏之间寄生晶体管开启，形成漏电通道，正是导致漏电流、亚阈斜率等参数变化的原因.