Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用

• 作者: 刘超 崔利杰 曾一平 杨秋旻
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物 叠层太阳能电池 单极性半导体 掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 271-276
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.03.16

摘要

Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CASe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中.此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-V族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池.本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及 Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展；同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	85	439	11.0	16.0
2	刘超	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	128	874	18.0	25.0
3	崔利杰	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	10	62	4.0	7.0
4	杨秋旻	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	13	3.0	3.0