沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响

• 作者: 刘玉荣 苏晶 莫昌文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 沟道宽度 氧化锌 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1046-1050
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5|O472+.4
• 字数: 1986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1046

摘要

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350 ℃退火lh,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响.实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
2	苏晶	华南理工大学电子与信息学院	6	22	3.0	4.0
3	莫昌文	华南理工大学电子与信息学院	2	8	2.0	2.0