高质量ZnO及BeZnO薄膜的发光性质

• 作者: 吴天准 张权林 汤子康 王玉超 苏龙兴 陈明明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 ZnO BeZnO 光致发光 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1035-1039
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1035

摘要

用分子束外延设备插入缓冲层在c面蓝宝石上生长得到高质量ZnO和BeZnO薄膜.XRD测试显示薄膜具有六方结构和c轴取向,并具有良好的晶体质量,其中ZnO薄膜的半高宽仅为108arcsec,BexZn1-xO薄膜的半高宽小于600 arcsec.对ZnO和BeZnO薄膜的拉曼光谱进行对比研究发现,随着Be元素的掺入,A1(LO)、A1 (2LO)声子模频率往大波数方向移动,并且首次发现了与Be元素掺杂有关的局域振动模.利用变温光致发光光谱研究了薄膜的发光性质,结果显示ZnO薄膜室温光致发光只出现一个紫外发发光峰(378nm),而低温光谱(80 K)则出现了很强的自由激子发光峰.随着温度的升高,束缚激子发光逐渐湮灭向自由激子发光转变,并且峰值位置红移.相对于ZnO薄膜,BeZnO薄膜的紫外发光主峰位置蓝移,并且由于Be元素的掺人导致薄膜晶体质量下降,在低温(80 K)光致发光光谱中没有出现强的自由激子发光峰.另外,在低温光致发光及拉曼光谱中,主峰位置在100 ～200 K之间有局部最大值,推测为由于合金晶格热膨胀系数失配而引起的应力效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤子康	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	7	35	3.0	5.0
3	王玉超	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	3	6	1.0	2.0
4	陈明明	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	3	6	1.0	2.0
5	苏龙兴	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	5	8	2.0	2.0
6	张权林	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	4	6	1.0	2.0
9	吴天准	中山大学理工学院光电材料国家重点实验室	2	5	1.0	2.0