Cu掺杂对CdS薄膜结构、光致发光及CdS/CdTe电池性能的影响

• 作者: 杨军 杨瑞龙 王德亮 白治中
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: 化学浴沉积 铜掺杂硫化镉 光致发光 碲化镉太阳能电池
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: O434.13|O657.39
• 字数: 5512字
• 语种: 中文

摘要

采用化学浴沉积(CBD)法在FTO(SnO2∶F)/Glass衬底上制备了Cu掺杂的CdS薄膜.用电感耦合等离子体-原子发射光谱(ICP-AES)测得不同Cu掺杂浓度的薄膜中Cu/Cd原子比分别为0.5％、1.5％、5％.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光致发光谱(PL)、紫外-可见-近红外反射透射谱对薄膜样品进行表征.研究了Cu掺杂对CdS薄膜的晶体结构,微观形貌以及体内点缺陷的影响.用Cu掺杂的CdS薄膜作为N型层制备CdTe太阳能电池,研究了CdS层中Cu对电池性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨军	中国科学技术大学材料科学与工程系	261	3449	28.0	51.0
2	杨瑞龙		1	3	1.0	1.0
3	白治中		1	3	1.0	1.0
4	王德亮		1	3	1.0	1.0