薄膜厚度对GZO透明导电膜及其LED器件性能的影响

• 作者: 张建华 徐韬 李喜峰 石继锋 顾文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GZO 透过率 透明导电氧化物
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1022-1027
• 页数: 6页
• 分类号: O731
• 字数: 3606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1022

摘要

采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件.实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低.当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10-4Ω·cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9％.对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建华	上海大学机电工程与自动化学院	106	709	13.0	21.0
5	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0
6	石继锋	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	6	18	3.0	4.0
7	顾文	上海大学机电工程与自动化学院	3	11	2.0	3.0
11	徐韬	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	3	3	1.0	1.0