SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响

• 作者: 夏晓川 宋世巍 张克雄 杜国同 柳阳 梁红伟 申人升
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiN 应力弛豫 插入层
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1017-1021
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1017

摘要

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.