温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响

• 作者: 刘仁俊 吕游 张宝林 李天天 杨皓宇 王连锴
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaSb/GaAs自组装量子点 尺寸分布 MOCVD
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1011-1016
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133408.1011

摘要

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点.通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型.由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的“自限制”生长.量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长.Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响.升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕游	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	25	59	4.0	7.0
2	杨皓宇	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	3	8	2.0	2.0
3	刘仁俊	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	4	1.0	1.0
4	李天天	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	4	1.0	1.0
5	王连锴	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	4	1.0	1.0