化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响

• 作者: 王克振 王智平 赵静
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴沉积(CBD) CdS薄膜 正交实验 生长速率
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 1311-1316
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 4387字
• 语种: 中文

摘要

采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响.结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要影响因素,醋酸镉、硫脲、氨水的浓度为次要因素,生长速率最小为0.68nm/min,最大达到43.12nm/min.各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响规律各不相同,随温度升高而单调增加,随醋酸铵浓度增大而单调下降;随着转速的加快生长速率先增大后减小最后保持稳定;醋酸镉、硫脲和氨水浓度对生长速率的影响规律较为复杂,存在一临界浓度,在临界浓度两侧生长速率变化差异较大,当浓度过大时,生长速率开始下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王克振	兰州理工大学可再生能源研究院	38	269	10.0	15.0
2	王智平	兰州理工大学材料科学与工程学院	128	1325	19.0	28.0
6	赵静	兰州理工大学材料科学与工程学院	24	150	7.0	11.0