半导体激光根管内照射与牙根表面温度变化的关系

• 作者: 朱庆萍 沈中华 陈幸
• 来源期刊: 口腔医学
• 学科: 医学
• 关键词: 半导体激光 单次照射时间 牙根表面 温度测定
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 基础与临床研究
• 页码范围: 615-618
• 页数: 4页
• 分类号: R781.05
• 字数: 3202字
• 语种: 中文

摘要

目的 采用不同功率半导体激光根管内连续照射或间隔照射,观察3种照射模式对根管外壁温度升高的影响.方法 实验一:60颗离体单根管牙分A组(功率1.5W)与B组(功率3W),每组又分为3亚组(A1、A2、A3),每组10颗,采用三种不同照射模式:A1:照射5s4次,A2:照射10s2次,单次照射间均间隔5 s;A3:连续照射20 s,同时测定根管外壁平均温度的变化.实验二:30颗离体单根管牙,采用功率1.5W,连续照射20 s的模式,测定牙根外三点:G1(根尖点)、G2(根尖1/3)、G3(根中1/3)温度变化值.结果 A组中,A1、A2、A3照射模式下根管外壁温度升高均值分别为4.78℃,5.21℃,5.97℃,3组间无明显统计学差异.B组于相同照射模式下温升均值均大于A组,且B3模式下根管外壁温度升高最高可达10.3℃.相同照射条件下,根尖(G1点)温度升高明显低于根尖1/3(G2点)及根中1/3(G3点)的温度(P＜0.05),G2、G3间无显著统计学差异.结论 照射模式及激光功率对根管外壁温度改变均有显著影响,且不同部位升温幅度也不相同.功率1.5W条件下,本实验设计的3种不同照射模式,均是临床较为安全的使用参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈中华	南京理工大学理学院	128	1273	20.0	26.0
2	朱庆萍	南京医科大学附属口腔医院特诊科	40	122	6.0	7.0
3	陈幸	南京医科大学附属口腔医院特诊科	2	10	1.0	2.0