具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性

• 作者: 俞鑫 刘建朋 樊星 白俊雪 郭伟玲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: LED 电流阻挡层 光功率 光效
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 918-923
• 页数: 6页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133407.0918

摘要

研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性.6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀.每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层.每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156,3.282,3.284 V,略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105,3.205,3.210 V).但是,具有电流阻挡层的LED的光效和光功率要优于无电流阻挡层的器件,在20 mA下的光功率分别提高了10.20％、12.19％和11.49％.这些性能的提升都要归功于电流阻挡层良好的电流扩展效应,同时电流阻挡层还可以减小p电极下的寄生光吸收.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术实验室	74	656	10.0	23.0
2	樊星	北京工业大学光电子技术实验室	13	80	6.0	8.0
3	俞鑫	北京工业大学光电子技术实验室	6	50	5.0	6.0
4	刘建朋	北京工业大学光电子技术实验室	5	36	5.0	5.0
5	白俊雪	北京工业大学光电子技术实验室	4	27	4.0	4.0