一种光电流谱测试方法表征掺杂Al的ZnO多孔膜光电性能

• 作者: 朱强 李华曜 杨其成 谢长生
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 光电流谱 掺杂 金属氧化物半导体 多孔膜
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 80-82,79
• 页数: 4页
• 字数: 1517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2013.06.026

摘要

文章设计并搭建了一个金属氧化物半导体材料光电流谱测试平台。采用溶胶凝胶的方法在FTO上制作了掺杂Al的ZnO多孔膜材料并测试了其光电流谱。通过测试结果可以看到，相对于纯ZnO，掺杂Al的ZnO多孔膜在入射光波长为480nm时有明显响应，同时响应的绝对值也较高。这是由于掺杂Al导致多孔膜中Zn空位增加而引起的。这个现象表明掺杂的方式会引入特定的缺陷，使得材料在本征光电导区间外也有一定的响应，可以扩展了材料的波长响应区间。同时，我们的研究也表明，光电流谱的测试方式可以原位、直接、快速和准确地表征材料中缺陷对光电性能的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢长生	华中科技大学材料成型与模具技术国家重点实验室	348	4405	33.0	51.0
2	朱强	华中科技大学材料成型与模具技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	李华曜	华中科技大学材料成型与模具技术国家重点实验室	2	12	1.0	2.0
4	杨其成	华中科技大学材料成型与模具技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0