放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响

• 作者: 卢景霄 崔宗超 李艳阳 杨仕娥 郭巧能 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅 等离子体 数值模拟 光发射谱
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2246-2251
• 页数: 6页
• 分类号: O461|O484
• 字数: 3796字
• 语种: 中文

摘要

采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较.模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70W时,等离子体中心区域的电子温度t基本保持不变,电子浓度ne和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比nH/nSiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好.最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	杨仕娥	郑州大学材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
3	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	郭巧能	郑州大学材料物理教育部重点实验室	22	50	4.0	6.0
5	李艳阳	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	18	3.0	3.0