MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究

• 作者: 叶芸 杨尊先 熊飞兵 王灵婕 郭太良
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米材料 MgO 场致发射
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 1904-1907
• 页数: 4页
• 分类号: TN141|TN103
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.020

摘要

采用碳热还原-氧化法成功制备大小均匀的MgO纳米线,采用场致发射电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)表征其形貌及晶体结构.采用丝网印刷将MgO纳米线转移到阴极电极,并将阴极电极与印刷有荧光粉的阳极电极组装成二级场致发射器件.场致电子发射测试表明MgO纳米线具有较好的电子发射特性:其阈值电场强度仅为3.82V/μm(1mA/cm2),最高电流密度达到2.68mA/cm2(4.01V/μm),发光亮度为1152cd/m2,4h内没有明显的衰减.MgO有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	杨尊先	福州大学物理与信息工程学院	34	85	5.0	7.0
3	叶芸	福州大学物理与信息工程学院	47	123	5.0	8.0
4	熊飞兵	厦门理工学院光电与通信工程学院	20	28	3.0	4.0
5	王灵婕	厦门理工学院光电与通信工程学院	13	28	3.0	5.0