喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响

• 作者: 夏晓川 宋世巍 张克雄 杜国同 柯昀洁 柳阳 梁红伟 申人升
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 高度调节 InGaN/GaN量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 469-473
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133404.0469

摘要

在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征.研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定.此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓川	大连理工大学物理与光电工程学院	9	9	2.0	3.0
2	梁红伟	大连理工大学物理与光电工程学院	21	81	6.0	8.0
3	申人升	大连理工大学物理与光电工程学院	10	85	5.0	9.0
4	柳阳	大连理工大学物理与光电工程学院	6	14	2.0	3.0
5	宋世巍	大连理工大学物理与光电工程学院	5	6	2.0	2.0
6	柯昀洁	大连理工大学物理与光电工程学院	1	2	1.0	1.0
7	张克雄	大连理工大学物理与光电工程学院	2	2	1.0	1.0