利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究

• 作者: 于广华 李建伟 滕蛟 赵崇军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低频噪声 NiFeCr 种子层 退火 信噪比
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 1852-1855
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.007

摘要

NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比.制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降.电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料科学与工程学院	88	372	9.0	14.0
2	滕蛟	北京科技大学材料科学与工程学院	37	132	6.0	9.0
3	李建伟	北京科技大学材料科学与工程学院	13	60	4.0	7.0
4	赵崇军	北京科技大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0