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650V场截止沟槽式IGBT兼顾高耐压与低Vce性能
650V场截止沟槽式IGBT兼顾高耐压与低Vce性能
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | 650V场截止沟槽式IGBT兼顾高耐压与低Vce性能 | ||
| 来源期刊 | 中国电子商情·基础电子 | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2013,（12） | 所属期刊栏目 | 技术前沿 |
| 研究方向 | 页码范围 | 41-43 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | |
| 字数 | 2445字 | 语种 | 中文 |
| DOI | |||
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中国电子商情·基础电子
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