高阻GaN的MOCVD外延生长

• 作者: 张宝顺 汪加兴 范亚明 邓旭光 邢艳辉 陈翔 韩军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 蓝宝石衬底 金属有机化合物气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 351-355
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0351

摘要

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜.对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析.实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层.样品的方块电阻Rs最高为2.49 ×1011Ω/□.以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm2/(V·s).