新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

• 作者: 丁彬彬 周德涛 喻晓鹏 宋晶晶 张涛 熊建勇 许毅钦 赵芳 郑树文
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管(LED) 电子阻挡层(EBL) 数值模拟,效率下降
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 345-350
• 页数: 6页
• 分类号: TM23|O242.1
• 字数: 1436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0345

摘要

分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究.3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层.此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析.研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区).同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解.