霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜

• 作者: 王彤彤
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化锗 长波红外增透膜 离子辅助 霍尔离子源
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 319-323
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 3083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0319

摘要

为了提高锗基底的透过率和环境适应性,镀制了增透保护膜.应用电子枪蒸发加霍尔离子源辅助的方法沉积了碳化锗(Ge1-xCx)薄膜.通过固定霍尔离子源参数,控制沉积速率的工艺得到了不同光学常数的碳化锗薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明,所制备的碳化锗薄膜在不同的沉积速率下均为无定形结构.采用傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪测量了试片的透过率,使用包络法获得了相应工艺条件下的光学常数.在锗基底上双面镀制碳化锗增透膜后,长波红外7.5～11.5 μm波段的平均透过率Tave＞85％.经过环境实验之后的碳化锗膜层完好,证明碳化锗增透膜具有良好的环境适应性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彤彤	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室	13	51	4.0	6.0