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摘要:
相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器, Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度,使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑.本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低调制电压下实现大消光比的硅基电光调制器,所用微环谐振腔的半径仅仅为20μm.重点分析了直波导与微环谐振腔的耦合对调制器性能的影响,发现较小的Drop端耦合系数有利于消光比的提高,但是不能同时达到最佳的调制带宽,因此设计上存在一个带宽和消光比性能上的折中考虑.根据优化设计的结果进行了实际器件的制作和测试.静态光谱测试表明,在3 V反向偏置电压的作用下,调制器的消光比最大可达12 dB.动态电光响应测试中,在仅仅1.2 V的信号幅值电压下测得了8 Gbps数据传输速率的清晰眼图.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计
来源期刊 物理学报 学科
关键词 电光调制器 绝缘体上的硅 微环谐振腔 载流子色散效应
年,卷(期) 2013,(19) 所属期刊栏目 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
研究方向 页码范围 260-265
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.194210
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈少武 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 39 387 9.0 19.0
2 张利斌 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 7 23 4.0 4.0
3 曹彤彤 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 3 14 2.0 3.0
4 费永浩 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 2 9 1.0 2.0
5 曹严梅 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 2 9 1.0 2.0
6 雷勋 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 1 9 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电光调制器
绝缘体上的硅
微环谐振腔
载流子色散效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
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