衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

• 作者: 俞振南 夏晓川 宋世巍 杜国同 杨德超 柳阳 梁红伟 申人升 邱宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN LED 弯曲度 残余应力
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: O781
• 字数: 3740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0340

摘要

利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片.测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响.分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能.随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移.