水平磁场作用下φ300mm直拉单晶硅生长三维数值模拟

• 作者: 刘丁 姜雷 焦尚彬 赵跃
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 水平磁场 数值模拟 非轴对称性
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 模拟计算
• 页码范围: 193-198
• 分类号: O782|TN304
• 语种: 中文

摘要

设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究.结果表明,由于水平磁场的非轴对称性,只有在三维模型中才能获得确切的温度、速度分布.温度场、熔体中的流函数和固液界面形状在水平磁场的作用下也具有非轴对称性,这种非轴对称性随磁场强度的变化而改变.提高晶体旋转速度有利于减小固液界面形状的非轴对称性,并会改变界面形状的凹凸程度；提高坩埚旋转速度则有利于提高熔体中温度分布的均匀性,但会扩大熔体中的径向温度梯度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁	西安理工大学国家联合晶体生长设备及系统集成工程研究中心	196	3213	31.0	45.0
2	赵跃	西安理工大学国家联合晶体生长设备及系统集成工程研究中心	19	130	8.0	10.0
3	焦尚彬	西安理工大学国家联合晶体生长设备及系统集成工程研究中心	55	764	15.0	26.0
4	姜雷	西安理工大学国家联合晶体生长设备及系统集成工程研究中心	5	25	4.0	5.0