沟道层厚度对室温制备的In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

• 作者: 丁玲红 喻先坤 张伟风 张新安 焦洋 翟俊霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In2O3薄膜 薄膜晶体管 沟道层厚度 电学特性
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 324-328
• 页数: 5页
• 分类号: O472.4
• 字数: 607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0324

摘要

在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响.实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新安	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	14	56	6.0	6.0
2	张伟风	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	66	248	8.0	10.0
3	丁玲红	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	21	95	6.0	8.0
4	焦洋	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	3	2	1.0	1.0
5	翟俊霞	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	喻先坤	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	1	2	1.0	1.0