氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响

• 作者: 乔忠良 周路 王云华 薄报学 高欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子清洗 GaAs基片 发光强度
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 308-313
• 页数: 6页
• 分类号: O472.1
• 字数: 3225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133403.0308

摘要

介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响.结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12％,样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
2	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0
3	王云华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	39	4.0	6.0
4	周路	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	48	4.0	6.0
5	乔忠良	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	88	6.0	9.0