基于电路拓扑的IGBT并联均流方法

• 作者: 孙驰 张成 艾胜 马伟明
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 并联均流 动态均流 静态均流 电路拓扑 试验验证
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电网安全与运行
• 页码范围: 505-512
• 页数: 8页
• 字数: 6164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2013.02.035

摘要

随着市场对大功率电力电子变流器需求的与日俱增,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的并联技术已成为大功率设计应用的解决方案之一.针对现有的一些解决IGBT并联均流措施存在的问题,在详细分析外加电感对动静态均流影响的基础上,提出了一种基于电路拓扑的两电平电路中的IGBT并联均流方法,该方法需要添加1个额外的直流侧二极管和2个μH级的电感,降低了开关的开通损耗,不需要设置死区,且短路保护实现容易.同时,针对该方法带来的IGBT关断过电压第2尖峰抬高的问题,提出了一种改进的电路拓扑结构,利用额外的电容-二极管-电容(CDC)网络来解决IGBT关断过电压的第2尖峰抬高的问题.试验结果表明了该种方法的正确性、有效性和可行性,为大功率电力电子变流器的扩容提供了较理想的选择方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马伟明	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	212	4841	39.0	61.0
2	孙驰	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	27	497	11.0	22.0
3	艾胜	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	19	150	7.0	11.0
4	张成	华中科技大学电气与电子工程学院	84	590	13.0	19.0