Fabrication and characterization of a GaN/(4H)SiC vertical pn power diode using direct and interfaced epitaxial-growth approaches

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篇名	Fabrication and characterization of a GaN/(4H)SiC vertical pn power diode using direct and interfaced epitaxial-growth approaches
来源期刊	半导体学报（英文版）	学科
关键词
年，卷（期）	2013,（4）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	20-23
页数		分类号
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-4926/34/4/044001

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