磁控溅射制备W掺杂VO2/FTO复合薄膜及其性能分析

• 作者: 丁杰 严梦 佟国香 方宝英 朱慧群 李毅 梁倩 王晓华 王锋 袁文瑞 覃源 郑鸿柱 陈少娟 陈建坤 黄毅泽
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: W掺杂 VO2 FTO导电玻璃 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 448-454
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.208102

摘要

为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料,室温下在F：SnO2(FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜,再经空气气氛下的热氧化处理,制备了W掺杂VO2/FTO复合薄膜,利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析。结果表明：高温热氧化处理过程中没有生成W,F,V混合氧化物,W以替换V原子的方式掺杂。与采用相同工艺和条件制备的纯VO2/FTO复合薄膜相比, W掺杂VO2薄膜没有改变晶面取向,仍具有(110)晶面择优取向,相变温度下降到35?C左右,热滞回线收窄到4?C,高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%。薄膜的结晶程度明显提高,表面变得平滑致密,具有很好的一致性,对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义。