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摘要:
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对ZnAl2O4的能带结构、态密度、布居分布及光学性质进行了理论计算.结果表明:ZnAl2O4为直接带隙半导体,能带宽度为3.91 eV;价带主要由O2p态和Zn3d态构成,导带主要由Al3s,3p态构成;ZnAl2O4为离子和共价兼有的化合物;并利用计算的能带结构和态密度分析了ZnAl2O4材料的复介电函数,光电导率,折射率以及消光系数等光学性质.且静态介电函数ε1(0)=3.35,静态折射率n0 =1.83.
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文献信息
篇名 ZnAl2O4的电子结构及光学性质的第一性原理计算
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 ZnAl2O4 电子结构 布居分布 光学性质
年,卷(期) 2013,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 268-272
页数 5页 分类号 O411.3
字数 2492字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张蓉 西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室 50 547 13.0 22.0
2 张利民 西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室 14 35 4.0 5.0
3 杨春燕 西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室 4 5 1.0 2.0
4 可祥伟 西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室 3 5 1.0 2.0
5 刘骞 1 4 1.0 1.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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