氮化镓功率晶体管三电平驱动技术

• 作者: David Reusch Fred C Lee 任小永 季澍 穆明凯
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 GaN 三电平 驱动方式
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 202-207
• 页数: 6页
• 分类号: TM46
• 字数: 4046字
• 语种: 中文

摘要

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景.随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展.2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件.与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障.本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性.实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率.