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Cu2O薄膜的电化学沉积和生长机理研究
Cu2O薄膜的电化学沉积和生长机理研究
作者:
付乌有
杨海滨
汪长安
田传进
谢志鹏
赵文燕
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Cu2O薄膜
电化学沉积
生长机理
摘要:
采用酸性醋酸铜体系,在透明导电玻璃(ITO)上恒电位沉积Cu2O薄膜,研究阴极还原Cu2O的电化学行为,利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析了Cu2O薄膜的微观结构和表面形貌,通过控制电沉积时间,研究Cu2O薄膜的表面形貌变化规律,讨论了Cu2O的生长机理.
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文献信息
篇名
Cu2O薄膜的电化学沉积和生长机理研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
Cu2O薄膜
电化学沉积
生长机理
年,卷(期)
2013,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
452-455
页数
4页
分类号
O484
字数
2217字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨海滨
吉林大学超硬材料国家重点实验室
51
376
9.0
16.0
2
汪长安
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
102
944
16.0
24.0
4
谢志鹏
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
182
1898
22.0
36.0
10
赵文燕
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
2
13
2.0
2.0
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田传进
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
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2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
Cu2O薄膜
电化学沉积
生长机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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