氧气流量对MgxZn1-xO薄膜择优取向的影响

• 作者: 吕有明 曹培江 曾玉祥 朱德亮 柳文军 贾芳 邵玉坤 韩舜 马晓翠
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO MgZnO 脉冲激光沉积 氧气流量
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4022字
• 语种: 中文

摘要

利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响.结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向；在沉积压强8.0Pa时,随着氧气流量的增加,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致MgZnO薄膜的生长取向由(200)择优取向转变为(111)择优取向.当氧气流量过大(70 sccm)时,由于氧气分子迁移能的提高,MgZnO薄膜呈现多个不同生长取向.