高硼含量的SiC陶瓷先驱体的合成和表征

• 作者: 朱旖华 王浩 邵长伟
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硼氢化反应 聚硼碳硅烷 裂解 先驱体转化陶瓷
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 高分子化学
• 页码范围: 2415-2420
• 页数: 6页
• 分类号: O631|TQ343
• 字数: 3728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7503/cjcu20130520

摘要

采用经典硼氢化反应,通过硼烷二级硫醚(BH3· SMe2)与二甲基二乙烯基硅烷(DVS)反应,合成了聚硼碳硅烷(PBCS)陶瓷先驱体,PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷.利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征;利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析.结果表明,聚合物的结构中含有B-C,Si-C和C-H键,在1000℃氮气气氛中,其陶瓷产率在50％以上.陶瓷产物在1100℃以无定形态存在,硼含量高达6.46％,在1300℃时出现明显结晶,形成B2O3,C和β-SiC三相组成的多元复相陶瓷,在1500℃以下陶瓷产物表面光滑,结构致密.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王浩	国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	12	65	5.0	8.0
2	朱旖华	国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	3	4	1.0	2.0
3	邵长伟	国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	3	4	1.0	2.0