硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟

• 作者: 关小军 张向宇 曾庆凯 王进
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅单晶 形成能 空位团 分子动力学
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 413-417,422
• 页数: 6页
• 分类号: O77
• 字数: 2735字
• 语种: 中文

摘要

为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理.结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大；3 ×3 ×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析；当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加；空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关小军	山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室	86	700	13.0	22.0
5	王进	山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室	44	175	7.0	11.0
9	张向宇	山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室	6	35	3.0	5.0
13	曾庆凯	山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室	9	109	6.0	9.0