四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响

• 作者: 丁明辉 于盛旺 刘艳青 唐伟忠 李义锋 黑鸿君
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: HCDCA CVD SiC过渡层 金刚石涂层 附着力
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 402-407
• 页数: 6页
• 分类号: O631
• 字数: 3563字
• 语种: 中文

摘要

采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层.本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以及附着力进行了对比研究.在此基础上,实验选取表面连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层进行了金刚石涂层的沉积,并对金刚石涂层的形貌、质量以及附着力进行了表征.实验发现.随着TMS流量的增加,SiC涂层的沉积速率加快,连续和致密性逐渐改善,但其附着力明显降低.连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层,可以有效地抑制硬质合金中Co的扩散,消除Co在金刚石涂层沉积过程中的不利影响,获得附着力良好的纳米金刚石涂层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐伟忠	北京科技大学材料科学与工程学院	106	860	16.0	21.0
2	于盛旺	太原理工大学表面工程研究所	27	77	5.0	7.0
3	刘艳青	北京科技大学材料科学与工程学院	7	61	4.0	7.0
4	李义锋	北京科技大学材料科学与工程学院	6	39	2.0	6.0
5	黑鸿君	北京科技大学材料科学与工程学院	4	5	1.0	2.0
6	丁明辉	北京科技大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0