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摘要:
Re-deposition is a non-volatile etching by-product in reactive ion etching systems that is well known to cause dirt on etching work.In this study,we propose a novel etching method called the polymer-rich re-deposition technique,used particularly for improving the etched sidewall where the re-deposition is able to accumulate.This technique works by allowing the accumulated re-deposition on the etched sidewall to have a higher polymer species than the new compounds in the non-volatile etching by-product.The polymer-rich re-deposition is easy to remove along with the photo-resist mask residual at the photo-resist strip step using an isopropyl alcohol-based solution.The traditional,additional cleaning process step used to remove the re-deposition material is not required anymore,so this reduces the overall processing time.The technique is demonstrated on an Al2O3-TiC substrate by C4F8 plasma,and the EDX spectrum confirms that the polymer re-deposition has C and F atoms as the dominant atoms,suggesting that it is a C F polymer re-deposition.
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文献信息
篇名 A Polymer-Rich Re-deposition Technique for Non-volatile Etching By-products in Reactive Ion Etching Systems
来源期刊 中国物理快报(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2013,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 131-134
页数 4页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/0256-307X/30/7/075202
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中国物理快报(英文版)
月刊
0256-307X
11-1959/O4
16开
北京中关村中国科学院物理研究所内
1984
eng
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