薄膜硅的变隙问题及隙态分布*

• 作者: 张治国
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 薄膜硅 可变光学带隙 隙态分布 电子液面涨落
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 页码范围: 389-397
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.147301

摘要

用电子束蒸发的方法制备可变光学带隙薄膜硅材料，给出了研究结果。介绍了一种做透过率曲线切线确定薄膜光学带隙的简易方法，给出了制备工艺和条件，以及各种材料的隙态分布图。实验发现，材料的光学带隙宽度不但与量子尺度效应有关，而且与缺陷形成的势垒高度和宽度以及有序短程(原子串)长度有关；给出了常规硅材料的光学带隙与原子串长度的关系。计算表明，随着原子串长度的加大，势阱中的电子液面升高，载流子受缺陷势垒的散射减弱；在原子串长度较低的情况下，电子液面不总是随着原子串长度升高，而是有较大的涨落，形成锯齿状波动。计算还发现，在势垒宽度与原子串长度之比不变的情况下，电子液面还与势垒高度有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张治国	泉州师范学院功能材料研究所	16	31	2.0	5.0