应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究*

• 作者: 周春宇 宋建军 张玉明 张鹤鸣 李妤晨 王斌 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变SiGe pMOSFET 栅电容特性 台阶效应 沟道掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 127102-1-127102-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.127102

摘要

@@@@由于台阶的出现，应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同，且受沟道掺杂的影响严重。本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V 特性中台阶形成机理的基础上，通过求解器件不同工作状态下的电荷分布，建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型，探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响。与实验数据的对比结果表明，所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性，验证了模型的正确性。该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用，并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中，为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础。