纯镁单晶制备研究

• 作者: 刁千顺 刘长松 孔庆平 方前锋 蔡民 蔣卫斌
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 镁单晶 坩埚下降法 电导率
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 598-600,610
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1291字
• 语种: 中文

摘要

利用自制的硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h条件下,生长出直径约为φ50mm的纯镁单晶.通过X射线衍射、金相观察和测量电导率等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方前锋	中国科学院固体物理研究所	51	197	8.0	12.0
2	孔庆平	中国科学院固体物理研究所	7	22	3.0	4.0
3	刁千顺	中国科学院固体物理研究所	2	2	1.0	1.0
4	蔣卫斌	中国科学院固体物理研究所	1	0	0.0	0.0
5	蔡民	中国科学院固体物理研究所	2	0	0.0	0.0
6	刘长松	中国科学院固体物理研究所	20	93	5.0	9.0