MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究

• 作者: 季顺黄 杨晓鸾 陈天
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 快恢复二极管 反向恢复时间 缓冲层
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 装置及应用
• 页码范围: 73-75
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1865字
• 语种: 中文

摘要

基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性.论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿真设计.实验在外延硅片上利用外延层与衬底过渡区域的高浓度梯度特性结合电子辐照技术,制作出了反向恢复时间为45 ns的外延功率快速软恢复二极管；同时,通过在硅片背面引入深层的n型掺杂缓冲层,在单晶硅片上制作出了具有较短反向恢复时间(55 ns)和良好软度因子的单晶功率快速软恢复二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈天		3	6	1.0	2.0
2	杨晓鸾		3	6	1.0	2.0
3	季顺黄		3	6	1.0	2.0