光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究

• 作者: 夏长泰 牟菲 狄聚青 王璐璐 赛青林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si∶β-Ga2O3 浮区法 光谱
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 607-610
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2095字
• 语种: 中文

摘要

采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中；在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响；测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏长泰	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	225	8.0	14.0
2	狄聚青	中国科学院上海光学精密机械研究所	4	12	3.0	3.0
6	赛青林	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	27	3.0	5.0
10	王璐璐	中国科学院上海光学精密机械研究所	12	80	3.0	8.0
14	牟菲	中国科学院上海光学精密机械研究所	1	3	1.0	1.0