PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

• 作者: 孙宁宁 焦健 谭满清 郭小峰 郭文涛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD SiO2薄膜 致密性 BOE腐蚀速率
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 577-581
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2460字
• 语种: 中文

摘要

为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响.实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌.通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭满清	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	136	8.0	10.0
2	焦健	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	62	5.0	7.0
3	郭文涛	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	4	10	1.0	3.0
4	郭小峰	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	3	10	1.0	3.0
5	孙宁宁	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	10	1.0	1.0