一种平行栅碳纳米管阵列阴极的场发射特性研究

• 作者: 孟根其其格 张荷亮 智颖飙 雷达
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 平行栅碳纳米管阵列 悬浮球 场增强因子 接触电阻
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 248502-1-248502-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.248502

摘要

建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极，利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算，给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式。在此基础上，进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响。分析表明，碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳，靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大；除碳纳米管的长径比之外，栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用；接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流，而接触电阻高于800 k?时，器件对阳极驱动电压的要求更高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟根其其格	内蒙古大学鄂尔多斯学院	16	37	4.0	5.0
2	智颖飙	内蒙古大学鄂尔多斯学院	27	196	9.0	13.0
3	张荷亮	内蒙古大学鄂尔多斯学院	17	55	4.0	7.0
4	雷达	内蒙古大学鄂尔多斯学院	8	17	3.0	4.0