硅片表面粗糙度对界面态的影响

• 作者: 周弘毅 崔文凯 武华 郭霞 陈树华 马云飞
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 粗糙度 界面态 傅里叶变换红外透射谱 C-V测试
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2514字
• 语种: 中文

摘要

针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品.通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的红外透射率和更高的界面态密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	54	397	11.0	16.0
2	武华	北京工业大学电子信息与控制工程学院	6	27	3.0	5.0
3	崔文凯	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	13	2.0	2.0
4	马云飞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	13	2.0	2.0
5	周弘毅	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	22	3.0	4.0
6	陈树华	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	14	2.0	2.0