金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备

• 作者: 刘兴钊 唐磊 张万里 彭少龙 蒋洪川 赵文雅 陈寅之
• 来源期刊: 测控技术
• 学科: 工学
• 关键词: Pt/ITO薄膜热电偶 静态标定 热电势 塞贝克系数
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 仪表与传感器
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.9
• 字数: 1072字
• 语种: 中文

摘要

采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al2O3层、Al2O3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al2O3保护层构成.静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45 μV/℃.测试温度可达到1000℃.时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势.