一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法

• 作者: 吕瑛 康星朝
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 参数提取 高电子迁移率器件(HEMT) 小信号模型
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 135-139
• 页数: 5页
• 分类号: TN911.7
• 字数: 4085字
• 语种: 中文

摘要

建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新方法.采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取,避免了ColdFET方法提取的寄生参数为负值的现象；通过Yong Long方法对寄生源电阻进行提取,减少了模型参数提取复杂度.与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比,该方法物理意义简明清晰,提取速度快,并且对新材料、新器件结构有较强的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕瑛	西北工业大学明德学院电子信息工程系	8	25	2.0	5.0
2	康星朝		3	7	2.0	2.0