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摘要:
以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的方法,抵消源/漏电压处理方式不同所带来的不对称性;最后推导出新的对称的沟道电流公式.模型验证表明:改进后的模型不但可以准确地模拟器件的特性,而且拥有更高的对称性.改进模型拓宽了BSIM4模型的运用范围,可以更有效地运用于RF集成电路设计和仿真.
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文献信息
篇名 基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
来源期刊 华中科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 集成电路 BSIM4模型 RF集成电路设计 对称性 仿真
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目 电子与信息工程
研究方向 页码范围 102-105
页数 分类号 TN386.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李斌 华南理工大学电子与信息学院 128 542 12.0 17.0
2 潘元真 华南理工大学电子与信息学院 2 2 1.0 1.0
3 许跃彬 华南理工大学电子与信息学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
BSIM4模型
RF集成电路设计
对称性
仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
月刊
1671-4512
42-1658/N
大16开
武汉市珞喻路1037号
38-9
1973
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
26
总被引数(次)
88536
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